Kingston HyperX Fury 4GB DDR3 SDRAM Memory Module HX316C10FB/4

KingstonSKU: HX316C10FB/4

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Description

Conçu et testé pour offrir des performances extrêmes, Kingston HyperX supporte facilement les exigences les plus rigoureuses de tout professionnel de la création, joueur ou passionné d'ordinateur.
  • 4 Go de mémoire pour augmenter les performances de votre ordinateur
  • La SDRAM DDR3 à 240 broches fonctionne à une vitesse de bus efficace avec une consommation d'énergie minimale et, par conséquent, vous obtenez des performances informatiques optimales avec une dissipation thermique améliorée de la mémoire.
  • 1 600 MHz de vitesse de mémoire avec signal non tamponné et latence CL10 vous permettent de naviguer sur le Web, d'écouter des chansons et d'utiliser simultanément des logiciels de routine.
  • Technologie de mémoire : SDRAM DDR3
  • Nombre de modules : 1 x 4 Go
  • Nombre de broches : 240 broches
  • Gamme de produits : HyperX Fury
  • Adresse du site Web du fabricant : http://www.kingston.com
  • Appareil pris en charge : Carte mère
  • Respectueux de l'environnement : Oui
  • Certification Environnementale : DEEE
  • Facteur de forme : DIMM
  • Fabricant : Kingston Technology Company
  • Type de produit : Module RAM
  • Garantie limitée : À vie
  • Traitement du signal : sans tampon
  • Latence CAS : CL10
  • Vitesse de la mémoire : 1600 MHz
  • Taille de la mémoire : 4 Go
  • Tension mémoire : 1,50 V
  • Vérification des erreurs : non-ECC
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  • Technologie de mémoire : SDRAM DDR3
  • Nombre de modules : 1 x 4 Go
  • Gamme de produits : HyperX Fury
  • Nombre de broches : 240 broches
  • Adresse du site Web du fabricant : http://www.kingston.com
  • Appareil pris en charge : Carte mère
  • Respectueux de l'environnement : Oui
  • Certification Environnementale : DEEE
  • Facteur de forme : DIMM
  • Fabricant : Kingston Technology Company
  • Type de produit : Module RAM
  • Garantie limitée : À vie
  • Traitement du signal : sans tampon
  • Latence CAS : CL10
  • Vitesse de la mémoire : 1600 MHz
  • Taille de la mémoire : 4 Go
  • Tension mémoire : 1,50 V
  • Vérification des erreurs : non-ECC

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